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SiC功率模块NTC温度检测为什么需要靠近芯片

SiC功率模块的结温管理与传统硅基模块不同。SiC器件本身可以在更高结温下运行,车载逆变器设计通常将结温上限设定在175~200°C,传统硅基模块工作温度则多在125~150°C。模块内部同时存在开关损耗和导通损耗,热量集中在芯片附近,形成明显的局部高温区。温度传感器如果离芯片较远,测得结果会明显滞后于芯片实际结温,无法及时反映热点变化,保护策略也难以在接近

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